薄膜电阻低电阻温度系数生产工艺是目前常用设计方式，薄膜电阻这种生产结构包括氧化铝陶瓷基底，TaN电阻材料层与Ni70Cr30金属电阻材料层，Cu/Ni/Au电极层，以及SiO2保护层。TaN电阻材料层设于氧化铝陶瓷基底与Ni70Cr30金属电阻材料层之间；Ni70Cr30金属电阻材料层上表层设有Cu/Ni/Au电极层以及非Cu/Ni/Au电极层区域的SiO2保护层。薄膜电阻超低电阻温度系数生产方法包括以下步骤：

1、薄膜电阻选用尺寸为50.8mm×50.8mm×0.254mm，纯度为99.6％的氧化铝陶瓷基片，清洗干净后，通过磁控溅射的方法，依次沉积好具有负电阻温度系数的TaN电阻材料层与具有正电阻温度系数的Ni70Cr30金属电阻材料层和Cu/Ni/Au金属电极层；
2、将生产制得薄膜电阻放入200℃烘箱，热处理6h；
3、另外薄膜电阻通过光刻和湿法腐蚀的方法，制作出金属电极区域图形；
4、通过光刻和离子刻蚀生产薄膜电阻金属电极方法，将Ni70Cr30金属材料层制作出电阻线条图案；
5、所得到的基片装入夹具，测得薄膜电阻的温度系数为5.7～10.4ppm/℃；
6、在通过离子刻蚀和激光调阻的方法，减小Ni70Cr30金属电阻材料层的面积，测试温度系数为3.2～6.8ppm/℃；
7、利用PECVD在该基板正面沉积SiO2保护层，通过光刻的方法，露出Cu/Ni/Au金属电极层区域。

此外薄膜电阻当制备温度系数为负值的薄膜电阻时，它的生产方法具体如下：

1、在清洗干净的玻璃或者陶瓷基底上，依次沉积负电阻温度系数材料层、正电阻温度系数材料层和金属电极层；
2、将该薄膜电阻进行热处理，然后制作出金属电极区域图形；
3、将正电阻温度系数材料层制作出需要的线条图案；
4、减小负电阻温度系数材料层面积或者同时减小正电阻温度系数材料层和负电阻温度系数材料层的面积，得到电阻温度系数≤±10ppm/℃的低温度系数的薄膜电阻；
5、在金属电极区域以外的区域涂覆钝化保护层。

薄膜电阻

另外薄膜电阻生产当制备温度系数为正值的薄膜电阻时，它的生产流程又有不同，具体如下：

1、在清洗干净的玻璃或者陶瓷基底上，依次沉积负电阻温度系数材料层、正电阻温度系数材料层和金属电极层；
2、将该薄膜电阻进行热处理，然后制作出金属电极区域图形；
3、将具有正电阻温度系数的材料层制作出需要的线条图案；
4、减小具有正电阻温度系数的材料层面积或者同时减小具有正电阻温度系数的材料层和负电阻温度系数的材料层的面积，得到电阻温度系数≤±10ppm/℃的低温度系数的薄膜电阻；
5、在金属电极区域以外的区域涂覆钝化保护层。

通过以上方法生产的薄膜电阻器，在低温漂设计中可以有些的保证薄膜电阻的稳定性能，在很多电阻厂家选择生产工艺的时候都会精细考察市场情况，目前这种薄膜电阻生产工艺技术非常优越，在很多高端薄膜电阻厂家都已经进行布局生产，而且这种低温漂系数的薄膜电阻深受市场的认可，具有非常大的电阻市场前景。